如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET 原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。 低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。 此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料
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第3代SiC MOSFET TO2474L 与目前主流的Si（硅）IGBT和MOSFET相比，使用SiC（碳化硅）的功率MOSFET不仅在低导通损耗和高温环境下工作方面表现出色，而且还有助于通过高速开关降低应用损耗。 TO2474L
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碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247长引线封装
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意法半导体的碳化硅mosfet具有650 v至2200 v的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。 我们SiC MOSFET的主要特点包括：
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Qorvo 的碳化硅 (SiC) JFET 是高性能常开型 JFET 晶体管，电压范围为 650 至 1700 V，导通电阻 (RDS (on)) 低至 25 毫欧。
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科锐 C3M™ 系列碳化硅功率 MOSFET 是采用最新突破技术的器件，并且是 业内首款 900V MOSFET 平台。 这些器件针对高频 电力电子应用进行了优化。 包括：可再生能源逆变器、 电动汽车充电系统和三相工业 电源。
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碳化硅SIC Mosfet产品目录 深圳亿伟世科技提供以SiC MOSFET芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案。 适用于：新能源汽车、电机驱动、充电桩、风能逆变、光伏逆变、工业电源、PD快充等领域。 文章参考：
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基于CoolSiC™MOSFET的CIPOS™Maxi IPM IM828系列是全球首款1200 V转移模塑碳化硅（SiC）智能功率模块（IPM），它集成了经过优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6
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SiC（碳化硅）MOSFET SiC MOSFET 原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。 低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。 此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料
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第3代SiC MOSFET TO2474L 与目前主流的Si（硅）IGBT和MOSFET相比，使用SiC（碳化硅）的功率MOSFET不仅在低导通损耗和高温环境下工作方面表现出色，而且还有助于通过高速开关降低应用损耗。 TO2474L
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Silicon Carbide (SiC) CoolSiC™产品 出色的可靠性、多样性和系统优势。 来自英飞凌的碳化硅技术！ 作为在碳化硅（SiC）技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商，我们能很好地满足对更智能、更高效
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碳化硅功率MOSFET，1200 V、20 A、189 mOhm（典型值，Tj = 150 C），HiP247长引线封装
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科锐 C3M™ 系列碳化硅功率 MOSFET 是采用最新突破技术的器件，并且是 业内首款 900V MOSFET 平台。 这些器件针对高频 电力电子应用进行了优化。 包括：可再生能源逆变器、 电动汽车充电系统和三相工业 电源。
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意法半导体的碳化硅mosfet具有650 v至2200 v的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。 我们SiC MOSFET的主要特点包括：
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SCT2080KE SiC（碳化硅）MOSFET 基于SiC的平面型MOSFET。 （SiCSBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 * 本产品是标准级的产品。 本产品不建议使
